IKW25T120FKSA1
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-247-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
- Pd - рассеивание мощности 190 W
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия TRENCHSTOP IGBT
- Квалификация -
- Упаковка Tube