HGTG30N60B3 - ON Semiconductor / Fairchild
Поставка электронных компонентов
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Упаковка / блок TO-247-3
  • Вид монтажа Through Hole
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.45 V
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 60 A
  • Pd - рассеивание мощности 208 W
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия HGTG30N60B3
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube