IRGP4069D-EPBF - Infineon Technologies
Поставка электронных компонентов
IRGP4069D-EPBF
Infineon Technologies
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Упаковка / блок TO-247AD-3
  • Вид монтажа Through Hole
  • Конфигурация -
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 76 A
  • Pd - рассеивание мощности 268 W
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Серия -
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube