IKY75N120CS6XKSA1
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-247-4
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A
- Pd - рассеивание мощности 880 W
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия IGBT6
- Квалификация -
- Упаковка Tube