FGAF20N60SMD
ON Semiconductor / Fairchild
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-3PF
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.9 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A
- Pd - рассеивание мощности 62.5 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия FGAF20N60SMD
- Квалификация -
- Упаковка Tube