IKB15N60T
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-263-3
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 26 A
- Pd - рассеивание мощности 130 W
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия TRENCHSTOP IGBT
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel