IXGN72N60C3H1 - IXYS
Поставка электронных компонентов
IXGN72N60C3H1
IXYS
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Упаковка / блок SOT-227B-4
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Конфигурация -
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 78 A
  • Pd - рассеивание мощности 360 W
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия IXGN72N60
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube