FGL60N100BNTDTU
ON Semiconductor / Fairchild
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-264-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1000 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 25 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 60 A
- Pd - рассеивание мощности 180 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия FGL60N100BNTD
- Квалификация -
- Упаковка Tube