APT100GN60LDQ4G - Microchip / Microsemi
Поставка электронных компонентов
APT100GN60LDQ4G
Microchip / Microsemi
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Упаковка / блок TO-264-3
  • Вид монтажа Through Hole
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 229 A
  • Pd - рассеивание мощности 625 W
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Серия -
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube