PMBFJ309,215
NXP Semiconductors
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-23-3
- Полярность транзистора N-Channel
- Конфигурация Single
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 25 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 25 V
- Ток стока при Vgs=0 10 mA
- Id - непрерывный ток утечки 30 mA
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 50 Ohms
- Pd - рассеивание мощности 250 mW
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия PMBFJ309
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel