2N6453
InterFET
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-72-4
- Полярность транзистора N-Channel
- Конфигурация Single
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 10 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 20 V
- Ток стока при Vgs=0 50 mA
- Id - непрерывный ток утечки 500 pA
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Pd - рассеивание мощности 360 mW
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия 2N645
- Квалификация -
- Упаковка Bulk