R6025ANZC8
ROHM Semiconductor
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-3PF-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
- Id - непрерывный ток утечки 25 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 120 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
- Qg - заряд затвора 88 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 150 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Cut Tape, Reel