SI8821EDB-T2-E1
Vishay / Siliconix
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок MicroFoot-4
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора P-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
- Id - непрерывный ток утечки 2.3 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 105 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.3 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 12 V
- Qg - заряд затвора 17 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 900 mW
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение TrenchFET
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel