2SK3703-1E - ON Semiconductor
Поставка электронных компонентов
2SK3703-1E
ON Semiconductor
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа Through Hole
  • Упаковка / блок TO-220-3
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
  • Id - непрерывный ток утечки 30 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 20 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток -
  • Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
  • Qg - заряд затвора 40 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 25 W
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим -
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Tube