2SK3018T106 - ROHM Semiconductor
Поставка электронных компонентов
2SK3018T106
ROHM Semiconductor
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-23-3
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
  • Id - непрерывный ток утечки 100 mA
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 8 Ohms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 800 mV
  • Vgs - напряжение затвор-исток 4 V
  • Qg - заряд затвора -
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 200 mW
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel