SI3552DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок TSOP-6
- Количество каналов 2 Channel
- Полярность транзистора N-Channel, P-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
- Id - непрерывный ток утечки 2.5 A, 1.8 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 105 mOhms, 200 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
- Qg - заряд затвора 3.2 nC, 3.6 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 1.15 W
- Конфигурация Dual
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение TrenchFET
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel