APT30M19JVFR
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Chassis Mount
- Упаковка / блок SOT-227-4
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 300 V
- Id - непрерывный ток утечки 130 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 19 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
- Qg - заряд затвора 975 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 700 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Tube