APT75F50L - Microchip / Microsemi
Поставка электронных компонентов
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа Through Hole
  • Упаковка / блок TO-264-3
  • Количество каналов -
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
  • Id - непрерывный ток утечки 75 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 75 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
  • Qg - заряд затвора 290 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 1.04 kW
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Tube