GS-065-004-1-L
GaN Systems
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология GaN Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок PDFN-6
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
- Id - непрерывный ток утечки 3.5 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.194 Ohms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.4 V
- Vgs - напряжение затвор-исток - 10 V to 7 V
- Qg - заряд затвора 0.7 nC
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности -
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel