CSD13381F4
Texas Instruments
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок PICOSTAR-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 12 V
- Id - непрерывный ток утечки 2.1 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 180 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 650 mV
- Vgs - напряжение затвор-исток 4.5 V
- Qg - заряд затвора 1060 pC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 500 mW (1/2 W)
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение NexFET
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel