APT34N80B2C3G
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок T-MAX-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
- Id - непрерывный ток утечки 34 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 145 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.1 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
- Qg - заряд затвора 180 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 417 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Tube