CSD85301Q2
Texas Instruments
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок WSON-FET-6
- Количество каналов 2 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
- Id - непрерывный ток утечки 8 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 27 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 600 mV
- Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
- Qg - заряд затвора 5.4 nC, 5.4 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 2.3 W
- Конфигурация Dual
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение NexFET
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel