CSD23202W10T
Texas Instruments
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DSBGA-4
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора P-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 12 V
- Id - непрерывный ток утечки 2.2 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 92 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 600 mV
- Vgs - напряжение затвор-исток 6 V
- Qg - заряд затвора 2.9 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 1 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим -
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение NexFET
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel