CSD18534KCS
Texas Instruments
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-220-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
- Id - непрерывный ток утечки 100 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 10.2 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.9 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
- Qg - заряд затвора 19 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 98 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим -
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение NexFET
- Упаковка Tube