CSD88584Q5DC - Texas Instruments
Поставка электронных компонентов
CSD88584Q5DC
Texas Instruments
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок VSON-CLIP-22
  • Количество каналов 2 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V
  • Id - непрерывный ток утечки -
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 680 uOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
  • Qg - заряд затвора 137 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 12 W
  • Конфигурация Dual
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение NexFET
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel