SIZ904DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок PowerPAIR-6x5-8
- Количество каналов 2 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
- Id - непрерывный ток утечки 12 A, 16 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 24 mOhms, 13.5 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V, 1.2 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
- Qg - заряд затвора 12 nC, 23 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 20 W, 33 W
- Конфигурация Dual
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение TrenchFET
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel