2SJ661-DL-1E - ON Semiconductor
Поставка электронных компонентов
2SJ661-DL-1E
ON Semiconductor
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок TO-263-3
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора P-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
  • Id - непрерывный ток утечки 38 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 29.5 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.6 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
  • Qg - заряд затвора -
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 65 W
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel