AUIRF8739L2TR
Infineon / IR
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DirectFET-L8
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V
- Id - непрерывный ток утечки 545 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 350 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.2 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 40 V
- Qg - заряд затвора 562 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Pd - рассеивание мощности 340 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация AEC-Q101
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Cut Tape, Reel