CSD13306W - Texas Instruments
Поставка электронных компонентов
CSD13306W
Texas Instruments
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок DSBGA-6
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 12 V
  • Id - непрерывный ток утечки 3.5 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 10.2 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток -
  • Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
  • Qg - заряд затвора -
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим -
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение NexFET
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel