AUIRF7759L2TR
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DirectFET-L8
- Количество каналов -
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 75 V
- Id - непрерывный ток утечки 160 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.8 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток -
- Vgs - напряжение затвор-исток -
- Qg - заряд затвора -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Pd - рассеивание мощности 125 W
- Конфигурация -
- Канальный режим -
- Квалификация AEC-Q101
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel