IGT60R190D1SATMA1
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология GaN
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок PG-HSOF-8
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
- Id - непрерывный ток утечки 12.5 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 190 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 0.9 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
- Qg - заряд затвора 3.2 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 55.5 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение CoolGaN
- Упаковка Cut Tape, Reel