CSD16411Q3 - Texas Instruments
Поставка электронных компонентов
CSD16411Q3
Texas Instruments
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок VSON-CLIP-8
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 25 V
  • Id - непрерывный ток утечки 100 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 10 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.7 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
  • Qg - заряд затвора 2.9 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 35 W
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение NexFET
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel