DN2625DK6-G
Microchip Technology
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DFN-8
- Количество каналов 2 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 250 V
- Id - непрерывный ток утечки 1.1 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.5 Ohms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток -
- Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
- Qg - заряд затвора 7.04 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности -
- Конфигурация Dual
- Канальный режим Depletion
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Tray