APT18F60B - Microchip / Microsemi
Поставка электронных компонентов
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа Through Hole
  • Упаковка / блок TO-247-3
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
  • Id - непрерывный ток утечки 19 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 310 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
  • Qg - заряд затвора 90 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 335 W
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Tube