SiZ328DT-T1-GE3 - Vishay / Siliconix
Поставка электронных компонентов
SiZ328DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок PowerPAIR-3x3-8
  • Количество каналов 2 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 25 V
  • Id - непрерывный ток утечки 25.3 A, 30 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 10 mOhms, 15 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток - 12 V, 16 V
  • Qg - заряд затвора 6.9 nC, 11.3 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 16.2 W
  • Конфигурация Dual
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение TrenchFET, PowerPAIR
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться