STH80N10F7-2
STMicroelectronics
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок H2PAK-2
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
- Id - непрерывный ток утечки 80 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 9.5 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4.5 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
- Qg - заряд затвора 45 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Pd - рассеивание мощности 110 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение STripFET
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel