TPS1120DR - Texas Instruments
Поставка электронных компонентов
TPS1120DR
Texas Instruments
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOIC-8
  • Количество каналов 2 Channel
  • Полярность транзистора P-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 15 V
  • Id - непрерывный ток утечки 1.17 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 180 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток -
  • Vgs - напряжение затвор-исток 2 V, - 15 V
  • Qg - заряд затвора -
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 125 C
  • Pd - рассеивание мощности 840 mW
  • Конфигурация Dual
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel