APT60N60SCSG
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок D3PAK-3
- Количество каналов -
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
- Id - непрерывный ток утечки 60 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 45 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
- Qg - заряд затвора 150 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 431 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Tube