SIZF914DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок PowerPAIR-6x5F-8
- Количество каналов 2 Channel
- Полярность транзистора N-Channel, NPN
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 25 V
- Id - непрерывный ток утечки 40 A, 60 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 6.2 mOhms, 1.5 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 4.5 V
- Qg - заряд затвора 14 nC, 65 nC
- Минимальная рабочая температура - 50 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 26.6 W, 60 W
- Конфигурация Dual
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel