SIR170DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SO-8
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
- Id - непрерывный ток утечки 95 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 4 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток - 5.5 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
- Qg - заряд затвора 93 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности -
- Конфигурация -
- Канальный режим Depletion
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение TrenchFET
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel