APT42F50B
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-247-3
- Количество каналов -
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
- Id - непрерывный ток утечки 42 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 110 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
- Qg - заряд затвора 170 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 625 W
- Конфигурация -
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение POWER MOS 8
- Упаковка Tube