CMLDM8120 BK
Central Semiconductor
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-563-6
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора P-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
- Id - непрерывный ток утечки 860 mA
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 85 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 450 mV
- Vgs - напряжение затвор-исток 8 V
- Qg - заряд затвора 3.56 nC
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 350 mW
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Bulk