CSD16325Q5 - Texas Instruments
Поставка электронных компонентов
CSD16325Q5
Texas Instruments
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок VSON-Clip-8
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 25 V
  • Id - непрерывный ток утечки 60 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.2 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
  • Qg - заряд затвора 18 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 3.1 W
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим -
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение NexFET
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel