STH3N150-2 - STMicroelectronics
Поставка электронных компонентов
STH3N150-2
STMicroelectronics
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок H2PAK-2
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 1.5 kV
  • Id - непрерывный ток утечки 2.5 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 9 Ohms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
  • Qg - заряд затвора 29.3 nC
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 140 W
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение PowerMESH
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel