CSD18540Q5BT - Texas Instruments
Поставка электронных компонентов
CSD18540Q5BT
Texas Instruments
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок VSON-CLIP-8
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
  • Id - непрерывный ток утечки 205 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.2 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
  • Qg - заряд затвора 41 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Pd - рассеивание мощности 188 W
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение NexFET
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel