STB47N60DM6AG - STMicroelectronics
Поставка электронных компонентов
STB47N60DM6AG
STMicroelectronics
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок D2PAK-3
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
  • Id - непрерывный ток утечки 36 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 80 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 25 V
  • Qg - заряд затвора 55 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 250 W
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация AEC-Q101
  • Коммерческое обозначение MDmesh
  • Упаковка Cut Tape, Reel