BFP 640ESD H6327
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Серия BFP640
- Тип транзистора Bipolar
- Технология SiGe
- Полярность транзистора NPN
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe110
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 4.1 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) -
- Непрерывный коллекторный ток 50 mA
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Конфигурация Single
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-343
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel