MRF581A
Advanced Semiconductor, Inc.
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Серия -
- Тип транзистора Bipolar
- Технология Si
- Полярность транзистора NPN
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe90
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 15 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2.5 V
- Непрерывный коллекторный ток 200 mA
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок Macro-X
- Квалификация -
- Упаковка Tray