MT3S20P(TE12L,F)
Toshiba
)
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Серия -
- Тип транзистора Bipolar
- Технология Si
- Полярность транзистора NPN
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe100
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 12 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 1.5 V
- Непрерывный коллекторный ток 80 mA
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SC-62-3
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, Reel