MT3S111P(TE12L,F)
Toshiba
)
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Серия MT3S111P
- Тип транзистора Bipolar
- Технология SiGe
- Полярность транзистора NPN
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe200
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 6 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 0.6 V
- Непрерывный коллекторный ток 100 mA
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SC-62-3
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, Reel